基本信息
物化性质
熔点:980ºC(lit.)
安全信息
安全说明:S61
危险类别码:R20/22
危险品运输编码:UN 1549 6.1/PG 3
危险类别:6.1
包装等级:III
危险品标志:Xn; N
危险类别码:R20/22
危险品运输编码:UN 1549 6.1/PG 3
危险类别:6.1
包装等级:III
危险品标志:Xn; N
生产方法及用途
生产方法
把20g镓、34.94g锑放进石墨盘中,装入石英管内,并用氢气流充分置换掉空气之后,然后在氢气流中加热石英管至720~730℃使其化合。 为了制得GaSb单晶,可以从石英管中慢慢取出,使熔融状态的GaSb从盘的一端开始固化形成结晶。如欲制成半导体用GaSb时,所用原料盘及石英管均应是高纯度的制品,必要时可进行区域熔融提纯。
用途
用于制造激光器,探测器,高频器件,太阳电池。
把20g镓、34.94g锑放进石墨盘中,装入石英管内,并用氢气流充分置换掉空气之后,然后在氢气流中加热石英管至720~730℃使其化合。 为了制得GaSb单晶,可以从石英管中慢慢取出,使熔融状态的GaSb从盘的一端开始固化形成结晶。如欲制成半导体用GaSb时,所用原料盘及石英管均应是高纯度的制品,必要时可进行区域熔融提纯。
用途
用于制造激光器,探测器,高频器件,太阳电池。